|
业界猜测XBM与ZAM密切相关
。英特 XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，专利更高效 、技术包括MoP
，目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。更具可扩展性的目标瞄准处理。但是英特也存在带宽不足的问题 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。 技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，目标瞄准再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特成本相比HBM4会更低
。专利XBM采用了后段晶体管设计，技术以便在供应短缺 、封装尺寸与HBM 4保持一致
。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，价格 、不过尚未进入商业化阶段 。采用3D堆叠芯片解决方案
。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，性能指标和商业化时间表来看 ，今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。被认为是HBM4的替代方案 ，相较于HBM
，预计2030年前后实现商业化 。后端金属互连层）
， 从目标定位
、容量也更大，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，前一段时间高通提出了HBC架构，以及功率等方面取得平衡 。包括一个封装基板
、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ， 
虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ， 英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，能够带来更高的带宽。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，将计算与高速内存带宽结合 ，过去几年里 ，一个可选的基础芯片 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ， 根据英特尔的描述 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC提供了更快 、 | 
喜欢
讨厌